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sic碳化硅晶圓激光切割工藝

發布人:創軒激光小軒發布時間:2024-10-24

【摘要】:

激光切割工藝利用調焦后的激光對工件表面或內部進行加工,并將其分離。由于激光切割是一種非接觸加工工藝,避免了工具磨損和機械應力的影響,大大提高了SiC晶圓切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割還可以減少后續拋光切削工藝的需求,降低材料損傷并

晶圓的種類包括硅晶圓、LED晶圓和碳化硅(SiC)晶圓等。隨著社會的不斷發展,SiC晶圓作為一種新型半導體設備,在電動汽車、太陽能逆變器、雷達系統等高溫、高壓、高頻領域得到了廣泛的應用。作為一種寬帶材料,SiC具有寬帶隙、高機械強度和高傳熱性能,但它也是一種非常硬脆的材料,加工難度較大,尤其是在后續的工藝過程中。晶圓的切割是半導體功率設備制造中非常重要的一部分,切割方法和切割質量直接影響晶圓的厚度、表面粗糙度、尺寸和生產成本,對功率器件的制造產生重要影響。目前,SiC碳化硅晶圓的切割工藝主要分為金剛石刀片切割和激光切割兩種。下面將對SiC晶圓的激光切割工藝進行詳細介紹。 


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激光切割工藝利用調焦后的激光對工件表面或內部進行加工,并將其分離。由于激光切割是一種非接觸加工工藝,避免了工具磨損和機械應力的影響,大大提高了SiC晶圓切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割還可以減少后續拋光切削工藝的需求,降低材料損傷并降低成本,減少傳統磨削拋光工藝帶來的環境污染。激光切割技術早已應用于碳化硅切割、硅晶錠切割和石英材料切割(主要用于濾色片領域激光切割和裂片工藝)等領域。

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